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                    LGS晶體

                    LGS晶體

                    • 所屬分類:電光晶體
                    • 瀏覽次數:
                    • 發布日期:2021-04-22
                    • 產品概述
                    • 性能特點
                    • 技術參數

                    硅酸鎵鑭晶體(LGS晶體)是一種具有很高損傷閾值的光學非線性材料,電光系數高,電光性能優良,屬于三方晶系結構,熱膨脹系數較小,晶體的熱膨脹各向異性較弱,高溫的溫度穩定性好(優于石英晶體),具有的兩個獨立電光系數與BBO晶體的系數相當,電光系數值在很大的溫度范圍內保持穩定,該晶體機械性能好、無解離性、不潮解、物理化學性質穩定,具有非常好的綜合性能。LGS晶體具有寬的透過波段,從紫外242nm-3550nm都具有很高的透過率??蓱糜?a href='http://www.lahore-london.com/product/738.html' target='_blank' class='key_tag'>電光調制、電光調q。

                    LGS晶體

                     

                    LGS晶體具有很廣泛的應用范圍:除了壓電效應、旋光效應外,其電光效應性能也非常優越高重復頻率、大截面通光孔徑、窄脈寬、高功率、高低溫等情況LGS晶體電光Q開關都適用,我們應用LGS晶體的電光系數γ11來制作Q開關,選擇其較大的縱橫比來降低Q開關的半波電壓,可應用于更高功率重復頻率的全固態激光器的電光調Q,比如:可應用于高平均功率能量大于100W的LD泵浦的Nd:YVO4全固態激光器,較高頻率可達300KHZ,較高輸出可達715w,脈寬為46ns,連續輸出可以達到近10w,光損傷閾值是LiNbO3晶體的9-10倍以上,1/2波電壓和1/4波電壓比同口徑BBO開關低,且材料和裝配成本低于同口徑RTP開關,和DKDP開關比較,不潮解,溫度穩定性好,可以應用在惡劣環境,是性能優異的可以滿足不同應用領域的電光開關。


                    基本屬性:

                    化學式

                    La3Ga5SiQ14

                    晶格參數

                    三方晶體a=b=7.453A。,c=6.293A。

                    密度

                    5.75g/cm3

                    熔點

                    1470℃

                    透過波段

                    242-3200nm

                    折射率

                    1.89

                    電光系數

                    Y41=1.8pm/V,γ11=2.3pm/V

                    電導率

                    1.7x1010Ω.cm

                    潮解性

                    不潮解

                     

                    熱膨脹系數

                    α11=5.15x10-6/K(⊥Z-axis);

                    α33=3.65x10-6/K(∥Z-axis)

                    標準要求:

                    晶體尺寸

                    2 x 2 - 8 x 8 mm

                    外殼尺寸

                    Dia.20-35 mm

                    消光比

                    >500:1

                    透過畸變

                    λ/6 @ 632.8nm

                    整體透過率

                    >98% @ 1064nm

                    電極間隔離性

                    <1

                    光潔度

                    20/10

                    (膜后40/20)

                    電容

                    8 pF

                    鍍膜

                    AR/AR @ 1064nm (R<0.2%)

                    抗光傷

                    900MW/cm2 10ns 10Hz 1064nm

                    常規尺寸:


                    型號

                    LG-EO-Q-30-65-1064-8

                    外殼尺寸

                    Dia.30 x 65mm

                    晶體尺寸

                    8 x 8 x 45 mm

                    消光比

                    >500:1

                    整體透過率

                    >98% 

                    1/4波電壓

                    3.2 kv

                    透過畸變

                    λ/6

                    波長

                    其他波長可訂制


                    型號

                    LG-EO-Q-30-65-1064-7

                    外殼尺寸

                    Dia.30 x 65mm

                    晶體尺寸

                    7 x 7 x 50 mm

                    消光比

                    >500:1

                    整體透過率

                    >98% 

                    1/4波電壓

                    3.2 kv

                    透過畸變

                    λ/6

                    波長

                    其他波長可訂制



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